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【多选题】

对于空穴，说法正确的是：

A.
空穴带正电荷
B.
空穴是实物粒子
C.
空穴是准粒子
D.
空穴可以脱离晶体存在
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题目标签：空穴
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【判断题】半导体中的空穴芾正电。（）
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动，它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动，运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动，空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】‍ ‍ 选择题: ‍ ‍ 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。（     ）
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
A.
正确
B.
错误
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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