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【简答题】
3.导出加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式
、
.
题目标签:
平衡少子
加偏压
空间电荷
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】PN结的空间电荷区既有载流子的漂移运动,又有扩散运动。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
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【单选题】PN结加正向电压是,空间电荷区将______。
A.
变窄
B.
基本不变
C.
变宽
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【简答题】何谓空间电荷?陶瓷中产生空间电荷的原因有哪些?
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【单选题】PN结形成后,空间电荷区由( )构成。
A.
空穴
B.
价电子
C.
自由电子
D.
杂质离子
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【判断题】基区非平衡少子与多子的复合运动形成基极电流。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】pn 结的空间电荷区中,多子的扩散使( )。
A.
p 区带正电
B.
p区带负电
C.
n 区带正电
D.
n 区带负电
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【单选题】空间电荷低偿变压器好坏的判断及调整方法,哪组是错误的?()
A.
测量初级和次级线圈间的电阻约100Ω
B.
初级留的空线柱为调整时用的
C.
次级留的空线柱为调整时用的
D.
当管电流受电压的影响时,可以调整空间电荷抵偿变压的初线线柱
E.
当管电流受电压的变化时,可以调整空间电荷抵偿变压的次级线柱
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【简答题】PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将(),PN结中()电流占优势。
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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