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"平衡少子"相关考试题目
1.
小注入条件下，非平衡少子对于多数载流子基本无影响
2.
对于非平衡少子统计时使用的准费米能级,在具体计算时使用的浓度计算公式是和平衡态的一样的。
3.
所谓小注入条件,是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡少子浓度,大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡少子浓度。
4.
半导体中复合作用越强,其非平衡少子扩散长度越大
5.
一个 PN + 型的二极管,电子和空穴的寿命分别为 τ n 和 τ p ,在外加正向直流电压 V 1 时电流为 I 1 ,当外加电压反向为- V 2 时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通时存储在( )型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为( )(选择填空,P,N, τ n × I 1, τ n × V 1 )
6.
小注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的( )。
7.
非平衡少子更重要,是因为它是非平衡的。
8.
半导体中复合作用越强，其非平衡少子扩散长度越大
9.
这是p型半导体中非平衡少子电子的连续性方程。得出这个方程,需要满足下列哪些条件。
10.
处于放大状态的晶体管,集电极电流主要是由基区非平衡少子漂移运动形成的。
11.
导出加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式、．
12.
在PN结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在( )区中的( )电荷。这个电荷的消失途径有两条,即( )和( )。 (选择填空:中性,耗尽,非平衡少子,反向电流的抽取,少子自身的复合)
13.
引起反向恢复过程的原因是PN结在( )期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q
14.
当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
15.
已知一半导体通电处于非平衡状态，非平衡少子浓度为【图片】,则下列说法不正确的是
16.
3．导出加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式、．
17.
已知一半导体通电处于非平衡状态，非平衡少子浓度为,则下列说法不正确的是
18.
稳态扩散时，半导体中非平衡少子的浓度从表面向体内递减
19.
当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
20.
若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为 cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度 与平衡少子浓度 分别为( )cm-3 和( )cm-3 。(公式编辑器输入正确答案,答案参考格式 )
21.
直接复合过程中的非平衡少子寿命无论注入条件如何都是个常数。
22.
基区非平衡少子与多子的复合运动形成基极电流。
23.
复合速率越高,半导体中非平衡少子寿命越( )
24.
所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡少子浓度，大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡少子浓度。
25.
当对 PN 结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( );当对 PN 结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( )。
26.
当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( );当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( )(选择填空:多,少)。
27.
非平衡少子更重要的原因是其为非平衡的。
