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【多选题】
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。
A.
半导体材料
B.
霍尔片的几何尺寸
C.
所加电压的频率
D.
磁场方向
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。
A.
霍尔电势UH正比于磁感应强度B
B.
霍尔电势UH正比于控制电流I
C.
霍尔电势UH正比于霍尔元件灵敏度KH
D.
霍尔电势UH=KHBI
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向=180 o 时,霍尔电势( ),因此霍尔元件可用于测量交变磁 场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向 =180时，霍尔电势 ，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向旋转 180° 时,霍尔电势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
相关题目：
【判断题】霍尔元件所产生的霍尔电势取决于元件所在磁场的磁感应强度。
A.
正确
B.
错误
【单选题】霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。
A.
霍尔电势UH正比于磁感应强度B
B.
霍尔电势UH正比于控制电流I
C.
霍尔电势UH正比于霍尔元件灵敏度KH
D.
霍尔电势UH=KHBI
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向=180 o 时,霍尔电势( ),因此霍尔元件可用于测量交变磁 场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
【单选题】霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
A.
变形
B.
弹力
C.
电势
D.
位移
【单选题】是磁感应强度符号
A.
Wb
B.
T
C.
φ
D.
B
【单选题】已知磁感应强度 T,则 m 的 值为
A.
-1
B.
1
C.
-2
D.
2
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向 =180时，霍尔电势 ，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
【单选题】霍尔电势公式中的角 θ 是指( )
A.
磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
B.
磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
C.
磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角
【单选题】霍尔电势的大小与下列哪个因素无关( )。
A.
半导体材料
B.
控制电流
C.
直流电压
D.
磁感应强度
【单选题】霍尔电势与（）成反比
A.
激励电流
B.
磁感应强度
C.
霍尔器件宽度
D.
霍尔器件长度
【单选题】已知磁感应强度，则m的值应为（）
A.
m=2
B.
m=3
C.
m=6
D.
不能确定
【判断题】霍尔元件的磁场和电流同时改变方向，霍尔电势的极性保持不变。（ ）
A.
正确
B.
错误
【单选题】磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向旋转 180° 时,霍尔电势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A.
绝对值相同，符号相反
B.
绝对值相同，符号相同
C.
绝对值相反，符号相同
D.
绝对值相反，符号相反
【单选题】已知磁感应强度为：B=3xex+（y-2z）ey-（y-mz）ez ，则 m的值应为（）
A.
1
B.
2
C.
3
D.
4
【单选题】影响霍尔电势差大小的主要因素是（ ）。
A.
载流子的浓度，热磁效应
B.
磁场大小，热磁效应
C.
磁场大小，载流子的浓度
D.
爱廷豪森效应 能斯脱效应