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"霍尔电势"相关考试题目
1. 减少霍尔元件温度误差的补偿方法是采用恒流源激励，同时并联一个负温度系数的热敏电阻分流，以达到霍尔电势保持不变。
2. 霍尔钳形电流表是根据霍尔电势公式 EH= KHIB cosθ,保持其它参数不变,改变控制电流的大小实现测量的。
3. 霍尔效应现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。 当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。P型半导体和N型半导体的霍尔电势差相差一个负号。
4. 霍尔传感器之所以能够实现非接触式的测量,是因为霍尔电势可以测量磁场,只要被测量通过某种因素改变了磁场的大小和方向,通过检测霍尔电势就可以实现对被测量的非接触测量。
5. 霍尔元件所产生的霍尔电势取决于元件所在磁场的磁感应强度。
6. 在霍耳效应的实验中,通过半导体材料的电流I和B 的方向垂直 ( 如图 所示 ).实验测得霍尔电势上高下低,则该材料为 型半导体
7. 在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。
8. 霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁。
9. 若磁铁间隙内中心截面处的磁感应强度为零，霍尔元件处于该处时，输出的霍尔电势差应该为()。
10. 霍尔电势与半导体薄片的厚度成 比。
11. 霍尔电势差的产生是由于运动电荷在磁场中受到洛伦磁力作用的结果。
12. 霍尔钳形电流表是根据霍尔电势公式EH=KHIBcosθ，保持其它参数不变，改变控制电流的大小实现测量的。()
13. 当霍尔元件处于 中,且 方向与霍尔元件 方向一致时,霍尔电势与 和 乘积成正比。其数学式为 。
14. 磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向=180 o 时,霍尔电势( ),因此霍尔元件可用于测量交变磁 场。
15. 霍尔电势的方向与控制电流和磁场方向有关。当电流和磁场方向同时改变，霍尔电势方向（）。
16. 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
17. 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度 ， 其灵敏度与霍尔系数成正比，而与霍尔片厚度成正比。
18. 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，作用在半导体薄片上的磁场强度B和激励电流I越大，霍尔电势也就（）。
19. 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
20. 磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向 =180时，霍尔电势 ，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
21. 霍尔电势差与位移量之间存在一一对应关系，当位移量< 2mm，这一对应关系具有良好的线性。
22. 图示霍尔式振动位移传感器的输出霍尔电势可以反映振动体的振幅,但不能反映振动频率。() 118
23. 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。
24. 霍尔电势的大小与霍尔元件的厚度成反比
25. 霍尔电势与通过霍尔片的电流和磁场强度成正比，霍尔压力变送器是将被测被测压力变化转换为电流信号变化进而引起霍尔电势变化，实现压力测量。
26. 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度 ， 其灵敏度与霍尔系数成反比，而与霍尔片厚度成正比。
27. 霍尔电势公式中的角 θ 是指( )
28. 磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度的( ),但磁场方向反向变化时,霍尔电势的( ),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
29. 已知某霍尔传感器的激励电流I=3A，磁场的磁感应强度B=5×10 -3 T，导体薄片的厚度d=2mm，霍尔常数R H =0.5，试求薄片导体产生的霍尔电势U H 的大小。
30. 霍尔传感器是利用( ),将被测物理量转换为霍尔电势。
31. 霍尔电势的大小与下列哪个因素无关( )。
32. 霍尔电势大小和下列哪些因素有关系？
33. 霍尔电势与磁感应强度和电流成反比。()
34. 霍尔电势与（）成反比
35. 当霍尔元件的控制电流为IN时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为（ ）。
36. 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的()转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
37. 若控制电流和磁场方向一定，对于P型半导体和N型半导体，产生的霍尔电势的极性不同。
38. 减少霍尔元件温度误差的补偿方法是采用恒流源激励，同时并联一个负温度系数的热敏电阻分流，以达到霍尔电势保持不变。
39. 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。
40. 霍尔元件的磁场和电流同时改变方向，霍尔电势的极性保持不变。（ ）
41. 磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向旋转 180° 时,霍尔电势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
42. 什么叫霍尔效应?写出霍尔电势差的计算式。
43. 下图为霍尔元件的温度补偿电路。当 20 °C时,电桥 达到平衡输出为零。 图中电阻 Rp 的作用是补偿霍尔元件 H 的 _______ ,在霍尔输出电极上串入一个直流电桥, R1 、 1R2 、 R3 、 R4 为锰铜电阻,温度系数较小,其阻值随温度几乎不变化,与 R3 并联的热敏电阻 Rt ,其温度系数为负,当温度升高其阻值减小。 当温度升高时,霍尔元件 H 的灵敏系数 k H 增大,输出的霍尔...
44. 霍尔式压力传感器利用霍尔元件将压力所引起的霍尔片( )转换为霍尔电势实现压力测量。
45. 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势 EH，其大小与（）、所通过的控制电流I和磁感应强度B成正比。
46. 影响霍尔电势差大小的主要因素是（ ）。
47. 利用霍尔电势正比于激励电流与磁感应强度 ( ) 的规律可制成 混频 器 。
48. 简述霍尔电动势产生的原理。 答: 一块半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中,当有电流I流过时,电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子,因此后端面带负电,前端面带正电,在前后端面形成电场,该电场产生的力阻止电子继续偏转,当两力相平衡时,电子积累也平衡,这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场,相应的电势称为霍尔电势UH。
49. 霍尔式压力传感器利用霍尔元件将压力所引起的弹性元件()转换为霍尔电势实现压力测量。
50. 磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为 B ,但磁场方向与图相反( θ =180 ° )时,霍尔电势 ______ ,因此霍尔元件可用于测量交变磁场。