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【多选题】
在Si中注入P+，能量为100KeV，剂量是10∧13离子/cm∧2，查表可知Rp≈0.12μm，ΔRp=0.042μm，峰值浓度是多少？在0.2μm处杂质浓度是多少？
A.
峰值浓度为 9.5×10∧17 离子 /cm；
B.
在 0.2μm 处杂质浓度是 3.7×10∧17 离子 /cm∧2；
C.
峰值浓度为 9.5×10∧13 离子 /cm∧2 ；
D.
在 0.2μm 处杂质浓度是 3.7×10∧13 离子 /cm∧2 。
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
【多选题】离子注入有下面哪种特点：
A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
【单选题】采集上述血沉标本后,注入容器的先后顺序是
A.
抗凝试管，干燥试管，血培养瓶。
B.
干燥试管，血培养瓶，抗凝试管。
C.
干燥试管，抗凝试管，血培养瓶。
D.
血培养瓶，干燥试管，抗凝试管。
E.
血培养瓶，抗凝试管，干燥试管。