一块厚δ=2.5mm的硅芯片用饱和温度为50℃的制冷剂冷却，芯片的λ= 135W/ (m.K),芯片底面上的电路产生的功率在硅片的上表面上形成了一个均匀的热流密度q=55×104W / m2,硅片的侧面及底面绝热良好。已知制冷剂CPl=1100J/(kgK)，r=84400J1kg， ρ1 = 1619kg/m3，ρV=13.5kg/m3，γ= 8.2×10-3N/m ，η1 = 440×10-6 kg /(ms),λl=0.0535W/(mk)。CWl= 0.005, Pr= 9.0, s=1.7.试计算芯片底面温度t0。芯片底面上的电路可近似地看成厚 0.05mm、具有均匀内热源的薄层。