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【简答题】
硅三极管发射结的死区电压约为_V锗三极管的死区电压约为_V半导体三极管处在正常放大状态时,硅管的导管电压约为_V锗管的约为_V
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题目标签：
半导体
锗三极管
发射结
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
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【判断题】锗三极管为PNP型
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
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【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（ ）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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