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【单选题】

硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（ ）。

A.
正确
B.
错误
题目标签：载流子漂移速度硅晶体
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参考答案：
参考解析：
.
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【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
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【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【判断题】硅晶体结构中原子间结合方式属于离子键
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅晶体的半导体性源于共价键。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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【单选题】Human beings have used tools for a very long time. In some parts of the world you can still find tools that people used more than two million years ago. They made these tools by hitting one stone agai...
A.
disastrous.
B.
unpredictable.
C.
exciting.
D.
colourful.
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【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
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【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
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【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
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【单选题】题干: 航行中的漂移速度 Vy'与停船时的漂移速度Vy之间的关系:
A.
航行中的漂移速度Ⅴy'要比停船时的漂移速度 Ⅴy小
B.
航行中的漂移速度Ⅴy'于停船时的漂移速度 Ⅴy一样大小
C.
航行中的漂移速度Ⅴy'要比停船时的漂移速度 Ⅴy大
D.
航行中的漂移速度Ⅴy'可能与停船时的漂移速度 Ⅴy方向相反
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