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【简答题】

设硅的线性缓变结的杂质浓度梯度αj为1022/cm4,VD=0.68V,(1)求其势垒宽度xD值及其最大电场,(2)求外加10V反偏时的xD值。

参考答案:
参考解析:
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举一反三

【单选题】膜内外Na+和K+浓度梯度的维持是由于

A.
膜在安静时对K+通透性大
B.
膜在兴奋时对Na+通透性大
C.
Na+和K+易化扩散的结果
D.
膜上Na+-K+泵的作用
E.
膜上ATP供能的作用

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗