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【单选题】
{ 变容二极管是利用PN结的_______随外加偏压而变化的特性制成的。
A.
电阻
B.
电容
C.
电感 }
题目标签:
加偏压
变容二极管
二极管
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参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【单选题】下面关于变容二极管,描述不正确的是()。
A.
变容二极管的结电容由扩散电容和势垒电容两部分组成。
B.
变容二极管是一个可受电压控制的线性电容。
C.
变容二极管主要考虑其结电容效应,结电容容值非常小,低频时,可近似为开路,只有在高频时,才体现其电容效应来。
D.
变容二极管由一个PN结所构成,其伏安特性曲线与普通二极管相似。
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【简答题】2.为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变.
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【判断题】变容二极管直接调频电路中的变容二极管作为振荡回路的总电容时,实现线性调频的条件是变容二极管的电容变化系数γ= 1 。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】变容二极管的结电容C j = 其中γ为变容二极管的电容变化系数;变容二极管作为振荡回路总电容时,要实现线性调频,变容二极管的γ值应等于2
A.
正确
B.
错误
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【简答题】二极管VD1的正向电阻为________________,反向电阻为_________________________。
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【判断题】pn结二极管是一种异质结二极管。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】发光二极管属于()。
A.
光致发光
B.
电致发光
C.
X射线致发光
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【单选题】如图所示二极管图形符号中,变容二极管的图形符号是( )。
A.
B.
C.
D.
D
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【单选题】对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
A.
少子反型
B.
多子积累
C.
多子耗尽
D.
本征状态
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【单选题】变容二极管上()时,电容值减少.
A.
反向电压减少
B.
反向电压增加
C.
正向电压减少
D.
正向电压增加
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