试从 CdTe 相图的精细结构来分析,在富 Te 熔体中生长 CdTe 晶体时采用布里奇曼方法与采用移动溶剂法(也称移动加热器法)对晶体中夹杂或沉淀的影响,从熔体或溶液中生长晶体时减少 Te 夹杂出现的关键是什么?用传统 Bridgman 法生长 CdTe 时难以消除 Te 夹杂的困难是什么?用传统 Bridgman 法生长在富 Te 熔体中生长 CdTe 晶体时,结晶完成后晶体中的 Te 含量什么有关?富余的 Te 将以何种形式方式存在于晶体内?富 Te ( Te 的含量约 0.6 )生长时,晶体的成分如何变化?采用移动溶剂方法生长晶体时,如果初始熔体组分在相图中的 x s 处,从结晶开始晶体的成分将如何变化?在晶体生长过程中如何才能将多余的 Te 留在溶剂中?从相图中分析生长温度控制在什么温度范围时,生长完成的晶体在降温过程中不会产生大量微沉淀?以及与温度关系?哪种方法对减少夹杂或沉淀更有优势?