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【单选题】
空穴为少子的导电体是......................................................( )
A.
本征半导体
B.
P 型半导体
C.
N型半导体
D.
金属导体
题目标签:
导电体
空穴
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参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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