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【单选题】
重空穴指的是()。
A.
质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.
价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.
价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.
自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
题目标签:
空穴
重空穴
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相关题库:
半导体材料题库
参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】半导体中的空穴芾正电。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体又称空穴型半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】P型半导体空穴数远多于自由电子数
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述电子-空穴对的产生率计算公式。
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【单选题】对于半导体中的空穴运动,下面说法正确的是( )。
A.
空穴是共价键中价电子的运动,它是真实存在的。
B.
空穴是共价键中价电子的运动,运动方向与自由电子运动方向相反。
C.
空穴是共价键中价电子的运动,空穴的运动方向与自由电子运动一致
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【单选题】 选择题: 半导体中的空穴是 。
A.
半导体中的晶格缺陷形成的
B.
电子脱离共价键后留下的空位
C.
带正电的离子
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【判断题】P沟道增强型MOS管只有空穴参与导电。( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】【名词解释】空穴
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【判断题】P型半导体中的空穴多于自由电子,是否意味着带正电?
A.
正确
B.
错误
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【多选题】玻尔兹曼分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率__________。
A.
大于费米分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
B.
小于费米分布时空穴占据(E F +5k 0 T)能级的概率
C.
小于玻尔兹曼分布时电子占据(E F +5k 0 T)能级的概率
D.
大于费米分布时电子占据E F 能级的概率
E.
大于费米分布时空穴占据E F 能级的概率
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