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【填空题】

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

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参考答案:
参考解析:
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举一反三

【多选题】适合于表面缺陷探测的方法有()

A.
超声探伤
B.
射线探伤
C.
磁粉探伤
D.
涡流探伤

【单选题】由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。

A.
 对探伤有利
B.
 对探伤不利
C.
 半扩散角增大
D.
 超声波能量发散

【单选题】近场区以远的区域,称为 ( )

A.
绕射区
B.
无声区
C.
反射区
D.
远场区

【单选题】腋杖长度最适宜为

A.
身高乘以47%
B.
身高乘以57%
C.
身高乘以67%
D.
身高乘以77%
E.
身高乘以87%