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【判断题】

施主杂质能级和受主杂质电离能分别表示为 和 。

A.
正确
B.
错误
题目标签：施主杂质杂质能级受主杂质
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参考答案：
参考解析：
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举一反三

【单选题】如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
A.
大于
B.
等于
C.
小于
D.
有效的复合中心
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【单选题】​位于费米能级附近的杂质能级是有效的陷阱能级。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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【判断题】杂质能级与价带中的能级相同。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
A.
B.
C.
D.
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【简答题】什么是杂质能级，其特点如何?
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【简答题】若施主杂质距离导带底较远,或者受主杂质距离价带顶较远,这样的杂质称为()杂质,其往往会成为(),主要影响半导体的()
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【简答题】说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
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【判断题】施主杂质电离后形成正电中心。
A.
正确
B.
错误
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