下载APP
刷刷题APP > 杂质能级
"杂质能级"相关考试题目
1.
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
2.
什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
3.
在Si材料中掺入B，则引入的杂质能级_____。
4.
位于费米能级附近的杂质能级是有效的陷阱能级。
5.
当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
6.
杂质能级的作用包括 提供导电载流子、复合中心、陷阱
7.
具有显著积累非平衡载流子作用的杂质能级成为陷阱，半导体中最有利于陷阱作用的杂质能级位置与平衡时的费米能级相同。( )
8.
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。
9.
在P型半导体材料中，杂质能级被称之为（ ）。
10.
杂质能级越深,引起杂质吸收的光子能量越大,吸收峰 本征吸收限。
11.
如果出现的杂质能级靠近满带上部称为受主能级,在受主能级上有空穴存在。
12.
说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
13.
施主杂质能级和受主杂质电离能分别表示为 和 。
14.
将杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。其中最有效的陷阱能级的位置是杂质能级靠近（ ）
15.
当杂质能级展宽为杂质能带，其杂质电离能_________（减小，增强），并且杂质浓度越大，导电性_________（减小，增强）。
16.
施主杂质能级的作用包括以下（ ）
17.
对于非简并Si半导体，室温下杂质能级为孤立的能级。
18.
掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
19.
杂质能级与价带中的能级相同。
20.
在Si材料中掺入磷，则引入的杂质能级（ ）。
21.
如果在单晶硅中分别掺入1015/cm3的磷和1015/cm3的硼，试计算300K时，电子占据杂质能级的概率。根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。
22.
硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）
23.
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
24.
对于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体，哪一族元素不能引入杂质能级？
25.
施主杂质能级靠近导带底,其与导带底的距离称为();受主杂质能级靠近价带顶,其与价带顶的距离称为();这两种杂质从能级位置的特征来看属于()能级杂质,其对半导体的()和()影响较大。
26.
什么是杂质能级，其特点如何?
27.
对于杂质能级,当 E f = E D 时,电子的占据几率为()。
28.
以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
29.
当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
30.
硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图?并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限?
31.
杂质能级的作用包括以下（
32.
什么是杂质能级，其特点如何?
33.
关于杂质能级的论述，正确的是
34.
P型掺杂半导体形成( )杂质能级,N型掺杂半导体形成( )杂质能级。
35.
杂质能级上电子的分布规律与能带中的电子分布规律一致。
36.
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
37.
如果能级在有电子占据时呈电中性，失去电子后成为正电中心的杂质能级则为（）。
38.
本征半导体之所以能够导电是因为引入了杂质能级。()
39.
掺入受主杂质的半导体称为p型半导体，杂质能级离导带很近。
40.
说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
41.
深杂质能级
42.
电子占据杂质能级的概率可用费米分布函数决定
43.
下列哪个能级是属于浅能级杂质能级?( )
44.
杂质能级的概率用电子的费米分布函数来决定。
45.
在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级位置( )。
46.
说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？
47.
施主杂质能级靠近()
48.
深杂质能级
49.
在Si材料中掺入P.则引入的杂质能级( )
50.
电子占据杂质能级不可能发生的的情况是（）。
