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【简答题】
硅三极管发射结的死区电压 约 伏,锗三极管发射结的死区电压约为 伏。处在放大状态时,硅管发射结的导通电压约 伏,锗管发射结的导通电压约 伏。
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题目标签：
三极管
锗三极管
发射结
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【单选题】三极管的三种组态放大器中,输入阻抗较大的是( )。
A.
共射极
B.
共集电极
C.
共基极
D.
都很大
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
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【判断题】2SC1360是三极管，2表示有两个PN结。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】锗三极管为PNP型
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
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【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
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【单选题】丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
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【判断题】晶体三极管IC=0时是饱和状态。()
A.
正确
B.
错误
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【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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