下载APP
【简答题】
硅三极管发射结的死区电压约为 V,锗三极管的死区电压约为 V。
举报
题目标签：
三极管
锗三极管
发射结
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
查看完整题目与答案
【单选题】三极管的三种组态放大器中,输入阻抗较大的是( )。
A.
共射极
B.
共集电极
C.
共基极
D.
都很大
查看完整题目与答案
【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
查看完整题目与答案
【判断题】2SC1360是三极管，2表示有两个PN结。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】锗三极管为PNP型
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
查看完整题目与答案
【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
查看完整题目与答案
【单选题】丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
查看完整题目与答案
【判断题】晶体三极管IC=0时是饱和状态。()
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
查看完整题目与答案
