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【单选题】
硒化锑的带隙为（）。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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题目标签：
带隙
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】si 是直接带隙半导体
A.
正确
B.
错误
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【判断题】CdTe材料属于直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【单选题】硒化锑的带隙为（）。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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【单选题】硒化锑的光学带隙为（ ）。
A.
约1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约1.5 eV
D.
约2.0 eV
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【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙？
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
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【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是间接能带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】晶体Si是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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