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【单选题】
一个8KÍ8的DRAM芯片,其内部排列成256Í256的存储矩阵,读/写周期为0.1μs,刷新周期2ms,采用分散式刷新,则相邻两行之间刷新间隔和死区分别是( )。
A.
25.6μs,25.6μs
B.
7.81μs,0.1μs
C.
0.1μs,25.6μs
D.
0.2μs,0μs
题目标签:
写周期
存储矩阵
刷新周期
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【简答题】用顺序表x存储左下三角矩阵A时,用x[0]存储矩阵A左上角元素A(1,1),则A(7,4)存放在x[ ______ ]中
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【单选题】只读存储器ROM 通常由存储矩阵、( )、输出缓冲器三部分构成。
A.
编码器
B.
地址译码器
C.
存储阵列
D.
存储器
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【单选题】存储体(或称存储矩阵)由许多()组成的。
A.
存储单元
B.
存储器
C.
单片机
D.
显示器
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【简答题】二极管存储矩阵如图22.10所示。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D 0 ~D 3 的逻辑式。
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【简答题】存储器通常由存储矩阵、_______、控制逻辑和三态数据缓冲器组成。
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【简答题】写周期 名词解释
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【单选题】一个5位地址码、8位输出的ROM,其存储矩阵的容量为( )位。
A.
48
B.
64
C.
40
D.
256
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【单选题】采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有
A.
10行10列
B.
5行5列
C.
32行32列
D.
1024行1024列
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【简答题】存储器通常由存储矩阵、 【14】 、控制逻辑和三态数据缓冲器组成。
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【简答题】在ROM的存储矩阵中,什么是存储单元,什么是字单元?
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