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"存储矩阵"相关考试题目
1. 一个 6 位地址码、 8 位输出的 ROM ,其存储矩阵的容量为( )。
2. 设ROM的地址为A0A1...A9，输出为Y0Y1Y2Y3，则其存储矩阵的容量是 。
3. 在ROM的存储矩阵中，什么是存储单元?什么是字单元?
4. ​用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数列出ROM应有的数据表，存储矩阵的点阵图为（ ）。​
5. 编写程序,用二维数组存储矩阵元素,从键盘输入数据,将矩阵转置后按行输出。
6. 有一个 512K × 16 的存储器,由 64K × 1 的 2164RAM 芯片组成(芯片内是 4 个 128 × 128 的存储矩阵结构)。问: ( 1 )采用分散刷新方式,如单元刷新间隔不超过 2ms ,则刷新信号的周期是多少? ( 2 )如采用集中刷新方式,设读 / 写周期 T=0.1 μ s ,存储器刷新一遍最少用多少时间?
7. 一个8KÍ8的DRAM芯片，其内部排列成256Í256的存储矩阵，读/写周期为0.1μs，刷新周期2ms，采用分散式刷新，则相邻两行之间刷新间隔和死区分别是（ ）。
8. 当ROM的地址输入端有3个输入信号，则其存储矩阵有6个输入信号
9. ROM主要由存储矩阵、地址译码器、读写电路等组成。
10. 用顺序表x存储左下三角矩阵A时，用x[0]存储矩阵A左上角元素A(1,1)，则A(7,4)存放在x[ ______ ]中
11. 采用对称双地址结构寻址的 1024 × 1 的存储矩阵有 。
12. 用16×4位的ROM设计一个将两位二进制数相乘的乘法器电路，列出真值表，画出存储矩阵的点阵图。
13. 如果ROM的地址输入为A1A0，而存储矩阵为,每一列从左到右依次对应字线0，1,2,3，每一行对应输出线0,1,2,3， 那么输出线3的表达式为
14. 只读存储器ROM 通常由存储矩阵、（ ）、输出缓冲器三部分构成。
15. RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端，8个数据输出端，则该RAM芯片的容量是（）位。
16. 存储体(或称存储矩阵)由许多()组成的。
17. 一个 5 位地址码、 8 位输出的 ROM ,其存储矩阵的容量为 。
18. 取指令过程是:首先,( )寄存器给出指令地址,经( )总线送存储器; CPU 向存储器发“读”控制信号;然后,存储器从存储矩阵中取出指令,经过( )总线送到 CU 中的( )寄存器;控制器对指令操作码进行译码; PC 自动加 1
19. 二极管存储矩阵如图22.10所示。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D 0 ～D 3 的逻辑式。
20. 一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单元刷新一遍。
21. 在习题22.3.1的图(a)所示电路中，若PROM存储矩阵的编程如习题22.3.1的图(b)所示，试画出输出电压90的波形。
22. ROM的存储矩阵是如何构成的?怎样表示它的存储容量?
23. 存储器通常由存储矩阵、_______、控制逻辑和三态数据缓冲器组成。
24. 固定只读存储器(ROM)主要由()、存储矩阵和输入电路部分组成。
25. ROM存储矩阵中的存储一位二进制数码的电路称为基本耦合单元，而RAM中的则称为二进制存储单元，这个说法法是否正确？
26. 小容量RAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为（）
27. 一个存储矩阵有64行、64列,则存储器的容量为( )个存储单元。
28. RAM是由存储矩阵、地址【 】和读/写控制电路三部分所组成的。
29. 一个5位地址码、8位输出的ROM,其存储矩阵的容量为( )位。
30. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有（ ）。
31. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有
32. 如果ROM的地址输入为A1A0，而存储矩阵为【图片】,每一列从左到右依次对应字线0，1,2,3，每一行对应输出线0,1,2,3， 那么输出线3的表达式为
33. 用容量为16×4位的ROM设计一个组合逻辑电路，ROM见下图，用来产生下列一组逻辑函数： 试列出ROM应有的数据表，填出存储矩阵的点阵图。
34. 采用对称双地址结构寻址的 4096×1 的存储矩阵有( ) 。
35. 用16×4位ROM做成两个两位二进制数相乘（A1A0×B1B0）的运算器，画出存储矩阵的阵列图。
36. 存储器通常由存储矩阵、 【14】 、控制逻辑和三态数据缓冲器组成。
37. RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端，8个数据输出端，则该RAM芯片的容量是（）位。
38. 固定只读存储器（ROM）主要由（）、存储矩阵和输入电路部分组成。
39. 一个 5 位地址码、 8 位输出的 ROM ,其存储矩阵的容量 ( )
40. 在教材图22.3.9中，若PROM存储矩阵的编程如图22.26所示。试画出输出电压uo的波形。
41. 图的常用三种存储矩阵是什么?
42. 用ROM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。 （1）列出ROM应有的数据表， （2）画出存储矩阵的点阵图。
43. 一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单元刷新一遍。
44. (4-2)在计算机程序中,利用( )维数组存储矩阵或二维表格 。
45. 一个12位地址码，8位输出的ROM，其存储矩阵的容量是
46. 二极管存储矩阵如图22.10所示。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D0～D3的逻辑式。
47. 用容量为16×4位的ROM设计一个组合逻辑电路，ROM见下图，用来产生下列一组逻辑函数： 试列出ROM应有的数据表，填出存储矩阵的点阵图。
48. 在ROM的存储矩阵中，什么是存储单元，什么是字单元?
49. 存储器通常由存储矩阵、 ______ 、控制逻辑和三态数据缓冲器组成。
50. 假设一个128K×1位的DRAM存储器,其内部为8个128×128的存储矩阵,设单元刷新间隔为2ms,DRAM的存储周期为T: 如果采用集中式刷新:刷新一遍所需时间为( 1 );刷新周期为( 2 )。 如果采用分散式刷新:刷新周期为( 3 ),存储周期变为( 4 )。 如果采用异步式刷新:刷新周期为( 5 );刷新信号的周期为( 6 )。