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【简答题】
题目:半导体单晶硅炉晶体生长的模糊PID控制
题目标签:
晶体生长
半导体单晶
体单晶
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】高温亚稳区是理论上能析晶实际上不能析晶的区域,但其晶体生长速率不为零。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】晶体的结晶速度越快,晶体生长的越粗大。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】晶体生长
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【单选题】下列哪种晶体生长机制长大速度最慢()。
A.
二维晶核长大机制
B.
连续长大机制
C.
螺型位错长大机制
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【简答题】说明晶体生长形状与温度梯度的关系。
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【判断题】晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。
A.
正确
B.
错误
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【填空题】根据晶体生长扩散学说,晶体的生长包括()、()和()三个过程。
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【判断题】晶体生长方式有液相变固体、汽相变固体和由固相再结晶为固相。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】在提拉法晶体生长中,晶体旋转对晶体生长有什么影响?
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