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【单选题】
GaAs是直接带隙结构,有两个子能谷
A.
正确
B.
错误
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题目标签:
能谷
直接带隙
带隙
参考答案:
参考解析:
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】si 是直接带隙半导体
A.
正确
B.
错误
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【单选题】硒化锑的带隙为()。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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【判断题】硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【判断题】过渡态和有机反应活性中间体都是真实存在的,前者存在时间短,后者存在时间稍长,前者在能峰处,后者在能谷处。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙?
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
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【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是间接能带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
A.
正确
B.
错误
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