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【简答题】

在一块p型半导体中,有一种复合—产生中心,小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的概率。试求这种复合—产生中心的能级位置,并说明它能否成为有效的复合中心?

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参考答案:
参考解析:
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举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【单选题】P型半导体靠()导电

A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子

【单选题】上述哪些核素是从加速器中生产的非正电子发射核素()

A.
131I、99Mo、131Xe
B.
99Mo、125I、51Cr
C.
111In、67Ga、201Tl、123I
D.
18F、11C、15O
E.
99Mo-99mTc、188W-188Re

【单选题】空载电压高,有利于电子发射,容易引弧和恢复电弧燃烧,但()。

A.
会造成焊接熄弧
B.
会使焊接稳定性差
C.
会产生高的电阻
D.
会降低工作安全性