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"能级位置"相关考试题目
1.
Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。C. 无法确定D. 都可以
2.
间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在（）
3.
在一块p型半导体中，有一种复合—产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的概率。试求这种复合—产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心?
4.
在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？
5.
对于本征费米能级位置的描述，错误的是 。
6.
下面三幅图分别给出了三种假想的晶体材料的能带结构,它们的不同之处是费米能级( )位置不同,则三种材料分别对应是金属、半导体还是绝缘体?
7.
Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。
8.
有效的复合中心和有效的陷阱在禁带所处的能级位置是相同的。
9.
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
10.
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
11.
最有效的复合中心能级位置在____。
12.
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
13.
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（ ）
14.
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
15.
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
16.
间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在
17.
最有利陷阱作用的杂质能级位置在（）附近。
18.
对于一中等掺杂的n型半导体,最有效的陷阱能级位置为( )
19.
下面三幅图分别给出了三种假想的晶体材料的能带结构,它们的不同之处是费米能级( )位置不同,则三种材料分别对应是金属、半导体还是绝缘体?
20.
浅能级杂质是指杂质所在的能级位置在禁带中远离导带或价带，在常温下很难电离，不能对导带的电子或价带的空穴的浓度有所贡献。
21.
下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。
22.
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
23.
已知室温300K下，硅的本征载流子浓度为，现有三块半导体硅材料，它们的空穴浓度分别为，，，试计算第一块材料的费米能级位置。
24.
300K 时某半导体导带底有效态密度1×10 19 cm -3 ,价带顶有效态密度5.6×10 19 cm -3 ,禁带宽度0.67eV(300K),0.76eV(77K): 计算电子和空穴状态密度有效质量。 计算77K时的本征载流子浓度及本征半导体费米能级位置。 在该半导体中掺入施主杂 质 1.3×10 18 cm -3 ,E C -E D =0.05eV,计算77K时的费米能级位置以及导带电子...
25.
现有一掺杂半导体硅材料，已测得室温（300K）下的平衡空穴浓度为p0=2.25*1016/cm3， 已知室温下纯净单晶硅的禁带宽度Eg=1.12eV， 本征载流子浓度ni=1.5*1010/cm3，室温的kT 值为0.026eV。 1）计算该材料的平衡电子浓度n0； 2）判别该材料的导电类型； 3）计算该材料的费米能级位置EF。
26.
最有效的复合中心能级位置在( ) 附近
27.
已知室温300K下，硅的本征载流子浓度为，现有三块半导体硅材料，它们的空穴浓度分别为，，，试计算第三块材料的费米能级位置。
28.
最 有效的复合中心能级位置在 附近;最有利陷阱作用的能级位置在 附近。
29.
把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命τ=τn+τp。
30.
对于同时掺有施主杂质( N D =1x10 15 cm -3 ),受主杂质( N A =1x10 15 cm -3 )的半导体, T=0K 时的费米能级位置 _________ 。
31.
在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级位置( )。
32.
从同一电子组态按LS耦合形成的诸能级中,S值最大的能级位置低,具有相同S值的能级中,具有最大L值的能级位置高:()
33.
半导体导带和价带的电子能级位置关系为 ()。
34.
同种半导体在以下5种不同掺杂情况的费米能级位置，从高到低排序为__________________。a. 强P型 b. 弱P型 c. 强n型 d. 弱n型 e. 本征型
35.
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
36.
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
