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【多选题】
硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。
A.
大
B.
小
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题目标签：
电流比
电压比
硅管
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】根据二极管的伏安特性，硅管的死区电压约0.1V。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】硅管和锗管的伏安特性曲线( )
A.
就是同一条曲线
B.
锗管的特性曲线靠近纵轴
C.
硅管的特性曲线靠近纵轴
D.
在某个位置重合
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【单选题】电路如图所示,稳压管为硅管,正向导通电压为0.7V。当ui=-0.3V时,uo的值为( )。
A.
-0.6V
B.
0.6V
C.
-0.3V
D.
0.3V
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【简答题】硅管门槛电压为:( );锗管门槛电压为:( )。
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【判断题】成年男性的摆脱电流比成年女性的大。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】晶体管工作在饱和状态时,发射结 ( ),对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
A.
反偏
B.
正偏
C.
开路
D.
断路
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【简答题】下列说法正确的是( ) A .硅管的死区电压为 0. 3 V ,锗管的死区电压为 0. 1 V 。 B .硅管的死区电压为 0.2V ,锗管的死区电压为 0.5V 。 C .锗管的死区电压为 0.7V ,硅管的死区电压为 0.2V 。 D . 锗管的死区电压为 0.2V ,硅管的死区电压为 0.5V 。
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【单选题】二极管导通后,二极管两端电压几乎恒定,硅管电压约为()之间。
A.
0.5V
B.
0.1V
C.
0.6~0.7V
D.
0.2~0.3V
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【单选题】二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
A.
0.1；0.2
B.
0.2；0.3
C.
0.5；0.1
D.
0.5；0.4
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【简答题】半导体二极管正偏导通时的管压降U D ,硅管约为( )伏,锗管约为( )伏。
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