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"硅管"相关考试题目
1.
硅管口、子管口在井内应进行（）
2.
硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。
3.
硅管的死区电压约为 ,锗管的死区电压约为
4.
硅管的正向压降为（）V。
5.
根据二极管的伏安特性，硅管的死区电压约0.1V。
6.
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
7.
若测得三极管基极电位与发射极电位差为0.7V,可以判定此三极管为硅管。
8.
硅管和锗管的伏安特性曲线( )
9.
硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
10.
硅管和锗管的死区电压的典型值各是多少?
11.
硅管的死区电压约为（）。
12.
硅管的死区电压约为()。
13.
电路如图所示,稳压管为硅管,正向导通电压为0.7V。当ui=-0.3V时,uo的值为( )。
14.
通常二极管硅管的死区电压约为 V,锗管约为 V。导通时的正向压降,硅管为 V,锗管为 V。
15.
硅管的死区电压约为( )V,正向压降约为( )V。
16.
二极管的两端加正向电压时,有一段“门槛电压”,硅管约为( ),锗管约为( )
17.
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
18.
下 图所示电路中,已知室温下硅管的 β =100 , V BE(on) =0.7V , 试求: ( 1 )室温下的 I CQ ≈ ( ), V CEQ ≈ ( ); A. 2.1 mA , 1. 17 V B. 2.1 mA ,- 1. 17 V C. 2. 5 mA ,- 0.94V D. 2. 5 mA ,- 0.94V
19.
硅管门槛电压为:( );锗管门槛电压为:( )。
20.
二极管的正向特性曲线中有一段“死区电压”，硅管的死区电压约为（ ）V；锗管的死区电压约为（ ）V。
21.
填写什么类型管子,什么材料的管子即可。例如PNP硅管。
22.
设某晶体管三个极的电位分别为UE=-13V，UB=-12.3V，UC=6.5V，则该管是 ()。 (A) PNP型锗管 (B) NPN型锗管 (C) PNP型硅管 (D) NPN型硅管
23.
锗二极管的正向压降比硅管大，锗管反向漏电流比硅管大。
24.
根据制作三级管的基片材料不同，三级管可分为硅管和（），硅管使用较多。
25.
硅管死区电压()
26.
NPN硅管各极电位为:Ub=6V,Uc=5.5V,Ue=5.3V,则三极管工作在(__)区。
27.
晶体管工作在饱和状态时,发射结 ( ),对于硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。
28.
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管为 ___________ ,硅管为 ________ 。
29.
电路如图题3.5.1所示，所有稳压管均为硅管，且稳定电压V Z =8V，设v i =15sinωt(V)，试画出v o1 和v o2 的波形。
30.
硅管的导通电压约为0．3V。
31.
只要写出PNP硅,管字不要写,或者PNP锗,管字不要写,就可以,不用画出B,C,E。
32.
硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6V~0.7V，锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2V~0.3V。
33.
三极管分PNP型、NPN型两种,有硅管和锗管之分。
34.
电路如图所示,图中T为硅管。当 时, =( )。
35.
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管的为0．7NV锗管约为（ ）。
36.
三极管工作在放大区时,硅管的基射极管压降为( )。
37.
图中三极管为硅管, β =100 ,试求电路中 I B 、 I C 、 U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。
38.
硅管和锗管正偏导通时，其管压降分别约为（ ）。
39.
如图3所示电路中,三极管为硅管,β=100,试判断三极管的工作状态,并求三极管的I B 、I C 、U CE 。 图3
40.
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
41.
三极管处于正常放大状态,硅管的Vbe约为( )V,锗管的Vbe约为( )V。
42.
直埋（硅管）光缆敷设在（）的斜坡上，宜采用“S”形敷设。
43.
下列说法正确的是( ) A .硅管的死区电压为 0. 3 V ,锗管的死区电压为 0. 1 V 。 B .硅管的死区电压为 0.2V ,锗管的死区电压为 0.5V 。 C .锗管的死区电压为 0.7V ,硅管的死区电压为 0.2V 。 D . 锗管的死区电压为 0.2V ,硅管的死区电压为 0.5V 。
44.
手机的二极管均是（）的黑色的硅管。
45.
二极管导通后,二极管两端电压几乎恒定,硅管电压约为()之间。
46.
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
47.
半导体二极管正偏导通时的管压降U D ,硅管约为( )伏,锗管约为( )伏。
48.
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为0.7V，锗管约为（）。
49.
开关二极管(硅管)的导通电压为多少
50.
硅管敷设的曲率半径：应不小硅管的（）倍，硅管端口在人(手)孔的余留长度一般为（）cm。
