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【单选题】

为了增大MOSFET的跨导,应()。

A.
A增大栅氧化层的厚度TOX,减小VGS;
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX,减小VGS;
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX,增大VGS;
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX,增大VGS
题目标签:跨导
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参考解析:
.
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【单选题】为了增大MOSFET的跨导,应()。

A.
A增大栅氧化层的厚度TOX,减小VGS;
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX,减小VGS;
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX,增大VGS;
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX,增大VGS

【单选题】N沟道JFET的跨导 是

A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小

【多选题】场效应管的低频跨导gm是()。

A.
 常数
B.
 不是常数
C.
 栅源电压有关
D.
 栅源电压无关
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A增大栅氧化层的厚度TOX,减小VGS;
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C.
C减小栅氧化层的厚度TOX,增大VGS;
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX,增大VGS
【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
【多选题】场效应管的低频跨导gm是()。
A.
 常数
B.
 不是常数
C.
 栅源电压有关
D.
 栅源电压无关