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【判断题】

SiC可以用熔体生长法。

A.
正确
B.
错误
题目标签:熔体生长
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】对于熔体生长的理想晶体生长条件是()

A.
较低的蒸气压、低熔点
B.
较低的蒸气压、高熔点
C.
较高的蒸气压、低熔点
D.
较高的蒸气压、高熔点

【单选题】以下熔体生长法生长晶体描述正确的是

A.
材料必须在熔化过程中成分不变
B.
材料在是温和熔点之间能够发生相变
C.
二氧化硅可以用于熔体生长法
D.
材料在熔化前能够分解