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【判断题】

SiC可以用熔体生长法。

A.
正确
B.
错误
题目标签：熔体生长
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参考答案：
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【判断题】SiC可以用熔体生长法。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】熔体生长的晶体中温度分布规律是什么？
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【简答题】推导熔体生长系统中的相变驱动力表达式
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【多选题】晶体生长所用的熔体生长法包括( )
A.
提拉法
B.
坩埚下降法
C.
区熔法
D.
焰熔法
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【单选题】对于熔体生长的理想晶体生长条件是()
A.
较低的蒸气压、低熔点
B.
较低的蒸气压、高熔点
C.
较高的蒸气压、低熔点
D.
较高的蒸气压、高熔点
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【简答题】试说明熔体生长过程中宏观结晶界面形貌对晶体生长过程的影响。
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【单选题】以下熔体生长法生长晶体描述正确的是
A.
材料必须在熔化过程中成分不变
B.
材料在是温和熔点之间能够发生相变
C.
二氧化硅可以用于熔体生长法
D.
材料在熔化前能够分解
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【多选题】下述方法属于熔体生长法的是（）
A.
提拉法
B.
液相外延法
C.
熔盐法
D.
焰熔法
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【简答题】熔体生长法指从 中生长晶体的方法，是制备大单晶体和特定形状晶体的最常用和最重要的方法之一。
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【简答题】熔体生长的方法有哪些？依据的基本原理，生长过程，适用范围及优缺点各是什么？
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