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PECVD沉积氮化硅膜的优点有()。
2.
氮化硅的晶型有:
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氮化硅的性能不包括()。
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氮化硅陶瓷的特点
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多晶氮化硅膜厚度为80-85nm。
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管P膜的成分是氮化硅。
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镀氮化硅膜的主要作用有
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氮化硅膜的折射率与什么有关
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氮化硅的CVD制备方法有()。
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氮化硅的性能不包括()
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氮化硅在IC芯片上的用途
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氮化硅膜的特性