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"液相外延"相关考试题目
1.
液相外延是从不饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy，LPE)。
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砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
3.
在高真空条件下,采用分子速外延、化学气相沉积、液相外延、金属有机化学气相沉积、化学束外延等方法,在晶体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的薄膜来,每层只有几个原子层厚,这样生长出来的材料叫
4.
名词解释:杂质分凝、平衡分凝系数、溅射法、液相外延、气相外延
5.
多晶硅薄膜的直接制备法主要有液相外延（LPE）法 和化学气相沉积（CVD）法，其中化学气相沉积法又包括等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 、低压化学气相沉积（LPCVD）、热丝化学气相沉积（HWCVD）等。
6.
液相外延法和气相沉积法都可以制备薄膜,若要制备纳米厚度的薄膜,应选用哪种方法,为什么?
7.
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
8.
与液相外延法相比，气相沉积法更适合制备纳米厚度的单晶薄膜。
9.
在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中，衬底材料与外延材料可能不一致，由于二者的晶格常数不同，会存在（ ）失配。
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利用液相外延技术制备砷化镓薄膜太阳能电池，选择适当的掺杂剂，很容易实现N掺杂，通常N掺杂选用硅和 。
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VPE是液相外延生产技术
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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
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什么是液相外延、气相外延和分子束外延？
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分批式液相外延法的独特优势为可进行 ，即在每次生长工艺前将高纯冶金级硅熔于坩埚中，而不使用电子级硅作为硅源材料。
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由液态方法生长晶体的技术有熔体生长和溶液生长两大类,其中熔体生长法主要有 、 、 、 和各液相外延法等。
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熔液相外延法可以外延生长单晶 材料 。
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液相外延技术的典型实验温度为700-900℃，薄膜生长速率为1nm/min数量级。
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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
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液相外延制膜法指含溶质的溶液(或熔体)借助过冷而使溶质在衬底上析出生长单晶薄膜的方法。
