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【简答题】

A+B-型离子晶体，只有正负离子空位和A+填隙离子三种热缺陷．负电性的正离子空位，其电荷是由负离子空位的正电荷抵消，还是由间隙正离子的正电荷抵消，取决于 ，或 分别为正负离子空位和正填隙离子的形成能，利用电中性条件证明

题目标签：负离子空位离子晶体电中性条件
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参考答案：
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举一反三

【判断题】离子晶体中的化学键都是离子键。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】n型半导体的电中性条件是什么?
A.
n + D + p 0 = n 0
B.
p 0 =n + D + n 0
C.
n 0 + p 0 =n + D
D.
n 0 =p 0 +N D
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【简答题】离子晶体中，肖特基缺陷多成对产生。如n代表正负离子空位的数目，u0代表产生一对缺陷所需要的能量，N代表晶体中原有正负离子对的数目，理论上可推出式中，γ和B分别是与原子的振动频率的改变和缺陷激活能随体积变化有关的参量。设试求T=300K和T=1000K时由于有肖特基缺陷后体积的相对变化ΔV/V。
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【单选题】在室温全电离的情况下，P型半导体的掺杂浓度为，有n型杂质（）的掺入，若，在不考虑本征激发的情况下，其电中性条件为（ ）。
A.
B.
C.
D.
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【判断题】离子晶体的离子键越强，其熔点越高。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】离子晶体的晶格能是（ ）
A.
气态正负离子形成晶体所吸收的能量
B.
气态正负离子形成晶体所释放的能量
C.
晶体解离成正负离子所释放的能量
D.
晶体解离成正负离子所吸收的能量
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【判断题】典型的离子晶体是无色透明的。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】以下物质①HF②H2③H2O④N2⑤C2H4⑥H2O2⑦NaCl（填序号）（1）只含有极性键的是_______________；（2）既含有极性键又含有非极性键的是_______________；（3）属于极性分子的是_______________；（4）既有σ键又有π键的是_______________；（5）含有s-sσ键的是_______________；（6）以上物质为固体时，属于离子晶体...
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【单选题】对于单一掺杂的n型半导体，其一般的电中性条件是（）。
A.
B.
C.
D.
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【判断题】离子晶体中的化学键都是离子键。
A.
对
B.
错
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