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【判断题】
若耗尽型N沟道MOS管的Ugs,大于零,则其输人电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
电阻
耗尽型
沟道
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】汽车基本电路中 代表电阻。 ( )
A.
正确
B.
错误
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【简答题】直流双臂电桥可以较精确地测量小电阻,主要是因为直流双臂电桥设置了()。
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【单选题】二极管包络检波器如图所示,其中R=8kΩ,若电压传输系数K d =1,则检波器等效输入电阻为( )
A.
2kΩ
B.
4kΩ
C.
8kΩ
D.
16kΩ
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【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
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【简答题】电阻串联交流电路,两电阻电压U1=60V,U2=80V,则总电压U=100V。
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【判断题】电阻R1=R2=30Ω,R1与R2并联之后其等效电阻为15Ω。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】生产厂房内外工作场所的( )或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
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【单选题】已知R1=28Ω,R2=30Ω2,如果把这两个电阻串联起来,其总电阻为(
A.
R=28Ω
B.
R=30Ω
C.
R=2Ω
D.
R=58Ω
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【单选题】导线间和导线对地间电阻必须大于()MΩ。
A.
0.5
B.
0.22
C.
0.38
D.
0.1
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【判断题】电感和电阻都是储能元件
A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是()。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【判断题】测试新瓷绝缘子的绝缘电阻时,应选用不低于5000V的兆欧表。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】为什么测量具有大电容设备的绝缘电阻时,读取被测数据后不能立即停止摇动兆欧表的手柄?
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【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】JWJXC-H125/80型继电器线圈电阻是( )。
A.
125Ω/80Ω
B.
80Ω/125Ω
C.
40Ω/125Ω
D.
125Ω/40Ω
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【单选题】接触对直径为3.5 mm的JL1型集控连接器接触电阻( )。
A.
≤0.1
B.
≤0.2
C.
≤0.002
D.
≤0.001
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【单选题】计算机机房接地包括交流工作地、安全保护地、直流工作地、防雷保护地,宜公用一组接地装置,接地电阻小于()。
A.
0.5Ω
B.
1Ω
C.
2Ω
D.
4Ω
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【判断题】可控硅的伏安特性是指电阻-电压特性。()
A.
正确
B.
错误
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【判断题】通常电灯接通的越多,总负载电阻越小。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】对于电位计式传感器,若减小其后接测量仪器的输入电阻,对传感器的输出特性有何影响?
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A.
2kΩ
B.
4kΩ
C.
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A.
正确
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A.
正确
B.
错误
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A.
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C.
孔
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A.
R=28Ω
B.
R=30Ω
C.
R=2Ω
D.
R=58Ω
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A.
0.5
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0.22
C.
0.38
D.
0.1
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是()。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【判断题】测试新瓷绝缘子的绝缘电阻时,应选用不低于5000V的兆欧表。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】为什么测量具有大电容设备的绝缘电阻时,读取被测数据后不能立即停止摇动兆欧表的手柄?
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【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】JWJXC-H125/80型继电器线圈电阻是( )。
A.
125Ω/80Ω
B.
80Ω/125Ω
C.
40Ω/125Ω
D.
125Ω/40Ω
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【单选题】接触对直径为3.5 mm的JL1型集控连接器接触电阻( )。
A.
≤0.1
B.
≤0.2
C.
≤0.002
D.
≤0.001
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【单选题】计算机机房接地包括交流工作地、安全保护地、直流工作地、防雷保护地,宜公用一组接地装置,接地电阻小于()。
A.
0.5Ω
B.
1Ω
C.
2Ω
D.
4Ω
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【判断题】可控硅的伏安特性是指电阻-电压特性。()
A.
正确
B.
错误
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A.
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错误
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【简答题】对于电位计式传感器,若减小其后接测量仪器的输入电阻,对传感器的输出特性有何影响?
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