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【单选题】
要得到 N 型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的( ); 杂质半导体中的多数载流子浓度主要取 决于 ( )。
A.
三价原子 温度
B.
三价原子 掺杂浓度
C.
五价原子 温度
D.
五价原子 掺杂浓度
题目标签:
本征半导体
杂质半导体
多数载流子
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【判断题】随着温度上升,本征半导体与金属材料的电阻率的变化情况是一样的。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
A.
对
B.
错
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【单选题】在本征半导体中掺入( )份元素杂质,就形成P型半导体。
A.
三
B.
五
C.
四
D.
两
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【单选题】在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A.
五价
B.
四价
C.
三价
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【简答题】在本征半导体中,电子浓度 空穴浓度 ; 在N型半导体中,电子浓度 空穴浓度; 在P型半导体中,电子浓度 空穴浓度。
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【判断题】本征半导体中自由电子和空穴的数目不会随着温度的升高而增加。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】运动是多数载流子的运动, 运动是少数载流子的运动。
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
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【简答题】杂质半导体按导电类型分为________半导体和________半导体。
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【简答题】本征半导体中, 有 和 两种载流子 ,在本征半导体中,掺入 价元素,可成为P型半导体。
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