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【单选题】
当一个硅二极管外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为( )
A.
0mA
B.
无穷大
C.
毫安数量级
D.
微安数量级
题目标签:
硅二极管
扩散电流
反向电压
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
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【简答题】在PN结不加外部电压时,扩散电流()漂移电流。
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【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】在经典极谱分析中,平均极限扩散电流的大小与电极反应物质的浓度( )。
A.
成正比
B.
符合能斯特方程
C.
的对数成正比
D.
符合尤考维奇公式
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【单选题】两个容量瓶,分别标记为a、b,在a容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为10 µA,在b容量瓶中加入Cd2+未知液5.0mL,再加0.005mol/L Cd2+标准溶液5.0mL,加水稀释至刻度后测得扩散电流为15 µA,则未知溶液中Cd2+的浓度为
A.
0.020
B.
0.010
C.
0.005
D.
0.0025
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【单选题】P N 结加适量反向电压时,空间电荷区将( ) 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
D.
消失
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【单选题】极限扩散电流与汞柱的关系是()
A.
i-h
B.
i-h1/2
C.
i-h2
D.
i与h无关系
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【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【单选题】载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
A.
漂移
B.
隧道
C.
扩散
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【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
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