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【单选题】

对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS_________

A.
>0
B.
<0
C.
=VDD
D.
任意
题目标签：区时耗尽型
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参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【单选题】在石膏模型上制作后堤区时，最宽处的宽度为
A.
8mm
B.
1mm
C.
5mm
D.
3mm
E.
10mm
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【判断题】结型场效应管均为耗尽型。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】A点的区时是
A.
某日8时
B.
某日６时
C.
某日10时
D.
某日16时
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【单选题】在创建Linux分区时，一定要创建（）两个分区。
A.
FAT/NTFS
B.
FAT/SWAP
C.
NTFS/SWAP
D.
SWAP/根分区
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【判断题】无证人员进入控制区时需要引领人引领
A.
正确
B.
错误
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【单选题】5月12日，区时2010，船舶位于经度Long68°20.0W处，此时世界时GMT为（）。
A.
2010（12/5）
B.
1510（12/5）
C.
0110（12/5）
D.
0110（13/5）
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【多选题】TD智能机接入LTEFDD小区时，支持的小区带宽包括（）
A.
1.4MHz
B.
3MHz
C.
5MHz
D.
10MHz
E.
15MHz
F.
20MHz
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【单选题】飞机在脱离地面效应区时（ ）
A.
地面摩擦力减小需略微降低功率
B.
诱导阻力增大，需增大推力
C.
需较小迎角以保持升力系数不变
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【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【判断题】三极管工作在放大区时，发射结为反向偏置。
A.
正确
B.
错误
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