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举一反三
【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )
A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力；
B.
低得多的通态电阻；
C.
更差的导热性能和热稳定性；
D.
更强的耐受高温能力。
【多选题】霍尔元件不等位电势产生的主要原因（）
A.
霍尔电极安装位置不对称或不在同一等位上
B.
半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.
周围环境温度变化
D.
激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
相关题目：
【单选题】可以用来制取半导体材料（如集成电路）的是（ ）
A.
二氧化硅
B.
粗硅
C.
高纯硅
D.
硅酸盐
【单选题】当导体材料及长度确定之后，如果导体截面越小，则导体的电阻值(0)。
A.
不变
B.
越大 越小
【单选题】砷化镓（化学式为GaAs）是一种重要的半导体材料．砷化镓中砷元素显-3价，则镓元素的化合价是（ ）
A.
-3
B.
0
C.
+1
D.
+3
【单选题】下列列举的材料中,哪种不是半导体材料 。
A.
Si
B.
压电陶瓷
C.
GaAs
D.
Ge
【单选题】下面不是半导体材料的是
A.
硅
B.
锗
C.
磷
D.
金
【判断题】霍尔元件是采用半导体材料制成的。
A.
正确
B.
错误
【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )
A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确
【单选题】汽车用霍尔元件属于（）。
A.
电磁感应元件
B.
压敏元件
C.
磁敏元件
D.
阻敏元件
【判断题】由同种半导体材料构成的PN结，称为同质结
A.
正确
B.
错误
【判断题】因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，需要有温度补偿。
A.
正确
B.
错误
【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。
A.
高的很多的耐受高电压的能力；
B.
低得多的通态电阻；
C.
更差的导热性能和热稳定性；
D.
更强的耐受高温能力。
【多选题】常见的半导体材料有
A.
硅
B.
锗
C.
氧化物
D.
硫化物
【单选题】下列半导体材料哪一种材料热敏性突出( )。
A.
本征半导体
B.
N 型半导体
C.
P 型半导体
【单选题】利用半导体材料的电阻随温度变化的特性制成的是（）。
A.
热电阻传感器
B.
热敏电阻传感器
C.
热电偶传感器
D.
热敏电偶传感器
【多选题】霍尔元件不等位电势产生的主要原因（）
A.
霍尔电极安装位置不对称或不在同一等位上
B.
半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.
周围环境温度变化
D.
激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的