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【判断题】

阱中MOSFET的衬底常接源极S

A.
正确
B.
错误
题目标签:阱中衬底
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:

A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯

【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()

A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯

【多选题】假设粒子在一维无限深方势阱中,以下说法中正确的是

A.
如果粒子处在基态(能量最低状态),那么粒子的能量为零
B.
即使在基态,粒子的能量也不为零
C.
粒子出现在 势阱中任何位置的概率都相同
D.
粒子出现在 势阱边缘的概率为零

【单选题】源极及衬底接地时,MOS管栅极()。

A.
对地阻抗极大
B.
对地有数uF的电容
C.
对地有很高的电压
D.
以上都正确

【单选题】在流动陷阱中:()

A.
货币政策有效,财政政策无效
B.
货币政策和财政政策都十分有效
C.
货币政策和财政政策都无效
D.
货币政策无效,财政政策有效