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【判断题】

位错切过沉淀相时,只有错配能和新增界面能会增加位错运动的阻力。

A.
正确
B.
错误
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参考答案:
参考解析:
.
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举一反三

【多选题】化学沉淀法与混凝沉淀相比较,其相同点是()

A.
处理方法
B.
投加药剂
C.
有沉淀物生成
D.
去除的对象

【多选题】位错运动时的派一纳(P-N)力,不正确的是:

A.
当a值越大,b值越小,越容易滑移
B.
当a值越小,b值越大,越容易滑移
C.
当a值越大,b值不变,越容易滑移
D.
当a值不变,b值越大,越容易滑移

【单选题】关于位错运动正确的是

A.
刃型位错滑移引起的晶体的滑移与位错柏氏矢量方向垂直。
B.
刃型位错的滑移面就是由位错线与伯氏矢量所决定的平面。
C.
使螺型位错滑移的切应力方向与伯氏矢量垂直,位错滑移后,滑移面两侧晶体的相对位移与伯氏矢量的大小不同。
D.
无论是刃型位错还是螺型位错,攀移方向与滑移面垂直。