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【单选题】
集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。
A.
硅晶向
B.
温度
C.
厚度
D.
掺杂
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题目标签：
氧化速率
制造工艺
集成电路
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】影响热氧化速率中，晶向是最重要的。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】这是RFID 天线制造工艺中 法制作的天线。A. 蚀刻
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【简答题】什么是集成电路？
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【简答题】按二极管制造工艺的不同,二极管可分为 ( ) 型 、 ( ) 型 和 ( ) 型 三种。
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【单选题】集成电路
A.
IC
B.
PC
C.
GUI
D.
AI
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【简答题】简述识读集成电路的主要内容。
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【简答题】二极管接制造工艺的不同，可分为型型和型。
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【多选题】电子产品制造工艺又称为什么？
A.
整机制造工艺
B.
元器件制造工艺
C.
电子组装工艺
D.
印制电路板制造工艺
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【单选题】在线性阶段，(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】集成电路中的特征尺寸指的是集成电路设计中所允许的最宽线条的宽度。
A.
正确
B.
错误
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