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【判断题】

突触后抑制包括传入侧支性抑制和回返性抑制

A.
正确
B.
错误
参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】回返性抑制的形成是由于

A.
抑制性中间神经元兴奋
B.
前膜电位超极化
C.
轴突—树突型突触
D.
兴奋性突触释放递质量减少
E.
以上都不对

【单选题】传入侧支性抑制和回返性抑制均属于()。

A.
周围抑制
B.
突触前抑制
C.
交互抑制
D.
突触后抑制
E.
去极化抑制

【单选题】传入侧支性抑制的形成是由于

A.
兴奋性递质释放减少
B.
兴奋性递质破坏过多
C.
去极化抑制
D.
兴奋性中间神经元兴奋
E.
抑制性中间神经元兴奋

【单选题】传入侧支性抑制的形成是由于 ( )

A.
兴奋性递质释放量减少
B.
轴突末梢去极化
C.
兴奋抑制性中间神经元
D.
兴奋递质破坏过多

【单选题】侧支性抑制和回返性抑制都属于()

A.
突触前抑制
B.
去极化抑制
C.
外周性抑制
D.
突触后抑制

【单选题】对突触后抑制的叙述,错误的是 编号: CHJXAQHM

A.
必须通过抑制性中间神经元才能实现
B.
是由于突触后膜超极化
C.
它的产生仅与IPSP有关,而与
D.
该抑制为一种典型的反馈抑制
E.
PSP无关

【多选题】突触后抑制

A.
是通过抑制性中间神经元实现的
B.
是由于突触后膜超极化而引起的效应
C.
是突触后膜主要对Cl-通透性增加的结果
D.
分为传入侧支性抑制和回返性抑制两种类型

【多选题】突触后抑制产生的原因是( )

A.
突触前膜释放抑制性递质
B.
突触后膜 Cl- 通道开放, Cl- 内流
C.
突触后膜超极化
D.
由抑制性中间神经元引起