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举一反三
【单选题】为了增大MOSFET的跨导，应（）。
A.
A增大栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX，增大VGS；
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX，增大VGS
【单选题】患儿男，6岁。出生后即发现口唇青紫，且逐渐加重，活动后气促明显，无蹲踞。查体:口唇紫绀，可见杆状指。提示：心电图示窦性心律；胸部X线片示肺血减少；超声心动图示大动脉位置正常，三尖瓣闭锁，肺动脉瓣闭锁，动脉导管未闭，直径6mm，跨导管压差60mmHg，McGoon比值1.5， LVEF0.65，左室舒张末期容积指数。40ml/m ，诊断为三尖瓣闭锁。按Edward和Buchell分类法应属于的类型是
A.
IIIa
B.
IIa
C.
Ia
D.
Ib
E.
IIIb
F.
Ic
G.
IIb
H.
IIc
【多选题】如图所示，水平放置的平行金属导轨左边接有电阻R，轨道所在处有竖直向下的匀强磁场，金属棒ab横跨导轨，它在外力的作用下向右匀速运动，速度为v．若将金属棒的运动速度变为2v，（除R外，其余电阻不计，导轨光滑）则（ ）
A.
作用在ab上的外力应增大到原来的2倍
B.
感应电动势将增大为原来的4倍
C.
感应电流的功率将增大为原来的2倍
D.
外力的功率将增大为原来的4倍
相关题目：
【单选题】为了增大MOSFET的跨导，应（）。
A.
A增大栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX，增大VGS；
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX，增大VGS
【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
【单选题】图示转移特性曲线,在 Q 点处的跨导为 ______ 。
A.
1mS
B.
2mS
C.
0.7 mS
D.
1.4 mS
【判断题】低频跨导是一个常数。
A.
正确
B.
错误
【单选题】患儿男，6岁。出生后即发现口唇青紫，且逐渐加重，活动后气促明显，无蹲踞。查体:口唇紫绀，可见杆状指。提示：心电图示窦性心律；胸部X线片示肺血减少；超声心动图示大动脉位置正常，三尖瓣闭锁，肺动脉瓣闭锁，动脉导管未闭，直径6mm，跨导管压差60mmHg，McGoon比值1.5， LVEF0.65，左室舒张末期容积指数。40ml/m ，诊断为三尖瓣闭锁。按Edward和Buchell分类法应属于的类型是
A.
IIIa
B.
IIa
C.
Ia
D.
Ib
E.
IIIb
F.
Ic
G.
IIb
H.
IIc
【多选题】如图所示，水平放置的平行金属导轨左边接有电阻R，轨道所在处有竖直向下的匀强磁场，金属棒ab横跨导轨，它在外力的作用下向右匀速运动，速度为v．若将金属棒的运动速度变为2v，（除R外，其余电阻不计，导轨光滑）则（ ）
A.
作用在ab上的外力应增大到原来的2倍
B.
感应电动势将增大为原来的4倍
C.
感应电流的功率将增大为原来的2倍
D.
外力的功率将增大为原来的4倍
【多选题】差分放大电路如图所示,下面哪些描述是正确的?( 、 管的低频跨导 均为 , ) ( )。
A.
差模放大倍数是
B.
差模放大倍数是
C.
输入电阻是
D.
输入电阻是
【单选题】场效应管的跨导＝/
A.
正确
B.
错误
【多选题】场效应管的低频跨导gm是（）。
A.
常数
B.
不是常数
C.
栅源电压有关
D.
栅源电压无关
【判断题】低频跨导 g m 是一个常数。
A.
正确
B.
错误
【判断题】(21) 场效应管的跨导
A.
正确
B.
错误