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【判断题】

光激发产生的过剩电子浓度等于过剩空穴浓度。

A.

正确

B.

错误

题目标签：过剩电子电子浓度过剩空穴

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参考答案：

参考解析：

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举一反三

【单选题】P型半导体中,自由电子浓度空穴浓度。

A.

大于

B.

等于

C.

小于

D.

不确定

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【简答题】下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为1.0×10^19cm^-3 ，则Si-SiO2界面处的电子浓度为 cm^-3

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【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（）倍。

A.

1

B.

10

C.

100

D.

1000

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【单选题】下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )。

A.

B.

C.

D.

查看完整题目与答案

【简答题】在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3，空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：求：U=？

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【简答题】太阳活动是指太阳大气的不稳定性所导致的一些明显现象，处于活动剧烈期的太阳释放出大量紫外线、x射线、粒子流等，因而往往引起地球上磁暴和电离层扰动等现象。据此回答小题。小题1:读下图，有关描述太阳活动与昼夜电离层电子浓度的高度分布特征正确的是( ) A．电离层电子浓度最高值出现的高度,白天高于夜间 B．电离层电子浓度太阳活动高年要大于太阳活动低年 C．100～200 km处高空电...

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【判断题】影响金属化合物的形成及结构的主要因素有负电性、电子浓度和原子尺寸等。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】（1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σmin的表达式。（2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）

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【简答题】根据主教材表5.1中给出的金属电子浓度n的数值，(1) 写出金属铅的伦敦长度λL，与归一化的超导浓度|Ψ|2=ns/n之间的关系式，其中所有的参数要给出具体数值和单位。(2) 当伦敦长度在100～1000的范围内时，ns/n在什么范围内?

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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙。

A.

正确

B.

错误

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【单选题】在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.

大于

B.

等于

C.

小于

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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。

A.

电子浓度增加，导电能力增强

B.

电子浓度不变，导电能力不变

C.

电子之间的碰撞加剧，导电能力增强

D.

电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱

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【单选题】P型半导体中，电子浓度ni （）空穴浓度pi 。

A.

大于

B.

小于

C.

等于

D.

大于等于

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【单选题】N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )

A.

小于

B.

等于

C.

不确定

D.

大于

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【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.

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【单选题】本征半导体电子浓度ni （）空穴浓度pi 。

A.

大于

B.

小于

C.

等于

D.

大于等于

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【简答题】N 型半导体的电子浓度空穴浓度; PN 结加反向电压时,空间电荷区将。

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【简答题】以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。

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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。

A.

电子浓度增加，导电能力增强

B.

电子浓度不变，导电能力不变

C.

电子之间的碰撞加剧，导电能力增强

D.

电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱

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【多选题】选出电子浓度为21/14的化合物。

A.

Cu5Si

B.

Cu5Zn8

C.

Cu3Sn

D.

CuBe

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相关题目：

【单选题】P型半导体中,自由电子浓度空穴浓度。

A.

大于

B.

等于

C.

小于

D.

不确定

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【简答题】下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为1.0×10^19cm^-3 ，则Si-SiO2界面处的电子浓度为 cm^-3

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【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（）倍。

A.

1

B.

10

C.

100

D.

1000

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【单选题】下图是理想MOS电容在室温下的能带图，其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲，且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV，电子亲合势为4.0 eV，导带底有效状态密度为，则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )。

A.

B.

C.

D.

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【判断题】影响金属化合物的形成及结构的主要因素有负电性、电子浓度和原子尺寸等。

A.

正确

B.

错误

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【简答题】（1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σmin的表达式。（2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）

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【简答题】根据主教材表5.1中给出的金属电子浓度n的数值，(1) 写出金属铅的伦敦长度λL，与归一化的超导浓度|Ψ|2=ns/n之间的关系式，其中所有的参数要给出具体数值和单位。(2) 当伦敦长度在100～1000的范围内时，ns/n在什么范围内?

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【判断题】有2个n-Si样品，甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下，这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙。

A.

正确

B.

错误

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【单选题】在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.

大于

B.

等于

C.

小于

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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。

A.

电子浓度增加，导电能力增强

B.

电子浓度不变，导电能力不变

C.

电子之间的碰撞加剧，导电能力增强

D.

电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱

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【单选题】P型半导体中，电子浓度ni （）空穴浓度pi 。

A.

大于

B.

小于

C.

等于

D.

大于等于

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【单选题】N 型半导体中的自由电子浓度 ___ 空穴浓度( )

A.

小于

B.

等于

C.

不确定

D.

大于

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【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N（E0F）与费密半径k0F的关系.

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【单选题】本征半导体电子浓度ni （）空穴浓度pi 。

A.

大于

B.

小于

C.

等于

D.

大于等于

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【简答题】N 型半导体的电子浓度空穴浓度; PN 结加反向电压时,空间电荷区将。

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【简答题】以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。

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【单选题】金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时( )。

A.

电子浓度增加，导电能力增强

B.

电子浓度不变，导电能力不变

C.

电子之间的碰撞加剧，导电能力增强

D.

电子之间的碰撞加剧，导电能力减弱

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【多选题】选出电子浓度为21/14的化合物。

A.

Cu5Si

B.

Cu5Zn8

C.

Cu3Sn

D.

CuBe

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