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【简答题】
直接带隙材料与间接带隙材料的辐射跃迁有何不同?
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题目标签：
辐射跃迁
直接带隙
间接带隙
参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【判断题】CdTe材料属于直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【简答题】根据能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙和( )半导体
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【多选题】以下哪几种半导体材料具有直接带隙的能带结构？
A.
氮化镓
B.
锗
C.
硅
D.
砷化镓
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【判断题】硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙？
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
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【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
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【单选题】由 状态 2 p3d 3 D 3,2,1 到 2p2p 3 P 2,1,0 的 辐射跃迁
A.
产生9条谱线
B.
可产生7条谱线
C.
可产生6条谱线
D.
不能发生
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【判断题】晶体硅薄膜为直接带隙材料。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列物质属于直接带隙的有
A.
硅
B.
砷化镓
C.
磷化铟
D.
氮化镓
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