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【判断题】

高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。

A.
正确
B.
错误
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。

A.
正,电离施主杂质
B.
正,电离施主杂质和空穴
C.
负,电离受主杂质
D.
负,电离受主杂质和电子

【单选题】在横断层⾯上,最先出现的汇合(分叉)点()

A.
肝左、右管
B.
肝⻔静脉
C.
肝固有动脉
D.
胆囊管与肝总管
E.
胆囊静脉注⼊肝⻔静脉处

【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。

A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
C.
肝固有动脉、肝门静脉、肝管
D.
肝门静脉、肝固有动脉、肝管
E.
肝管、肝固有动脉、肝门静脉

【单选题】在肝蒂中的结构,其分叉点或汇合点从高到低的排列是()。

A.
肝门静脉、肝管、肝固有动脉
B.
肝管、肝门静脉、肝固有动脉
C.
肝固有动脉、肝门静脉、肝管
D.
肝门静脉、肝固有动脉、肝管
E.
肝管、肝固有动脉、肝门静脉