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【多选题】

张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有( )

A.
增加能级分裂,抑制能谷散射
B.
减小载流子有效质量
C.
抑制界面态的库伦散射作用
D.
减小MOS界面粗糙度
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参考答案:
参考解析:
.
刷刷题刷刷变学霸
举一反三

【单选题】电解质溶质的迁移率是()下的泳动速度。

A.
单位时间
B.
单位溶质质量
C.
单位电场强度
D.
单位静电引力

【单选题】电泳迁移率的含义是指( )

A.
电泳时的电场强度
B.
单位电场强度下的移动速度
C.
单位时间内的移动的速度
D.
单位电场强度下移动的距离
E.
电泳时的通电电压

【多选题】影响电泳迁移率的因素有

A.
待分离生物大分子的性质
B.
支持介质的筛孔
C.
电渗
D.
电场强度
E.
粒子的净电荷缓冲液的性质