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参考答案：
参考解析：
刷刷题刷刷变学霸
举一反三
【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【单选题】晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
A.
I c I b U ce
B.
I b I c U ce
C.
U ce I b U be
D.
U ce I c I b
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
相关题目：
【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
【多选题】场效应管的类型有（）。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
【判断题】传感器的特性一般是指输入、输出特性。它有静态、动态之分。
A.
正确
B.
错误
【单选题】晶体三极管输出特性分为三个区，分别是（）。
A.
饱和区、开关区和截止区
B.
开关区、导通区和截止区
C.
开关区、放大区和导通区
D.
放大区、饱和区和截止区
【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
【单选题】变面积式电容位移传感器的输入输出特性是（）。
A.
非线性
B.
近似线性
C.
线性
【单选题】晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
A.
I c I b U ce
B.
I b I c U ce
C.
U ce I b U be
D.
U ce I c I b
【单选题】VGS=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
【单选题】下列不属于单相交-交变频电路的输入输出特性的是（）。
A.
输出上限频率
B.
输出功率因数
C.
输出电压谐波
D.
输入电流谐波