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【单选题】
半导体被光激发产生电子跃迁的条件是( )。
A.
其他选项都不是
B.
hv < E
C.
hv > E
D.
hv = E
题目标签:
半导体
光激发
电子跃迁
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参考答案:
参考解析:
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举一反三
【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的是:( )
A.
s→s*
B.
n→s*
C.
p→p*
D.
n→p*
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【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有( )
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【简答题】试述半导体特性及其应用。
查看完整题目与答案
【多选题】用红外光激发分子使之产生振动能级跃迁时,化学键越强,则( )。
A.
吸收光子的能量越大
B.
吸收光子的波长越长
C.
吸收光子的频率越大
D.
吸收光子的数目越多
查看完整题目与答案
【单选题】下列选项中不是半导体使用性能主要影响因素的是( )。
A.
温度
B.
杂质
C.
光照、电压及磁场
D.
导电性介于导体和绝缘体之间
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源,其特点有( )。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【判断题】二极管的型号基本能反映其所用半导体的材料、性能、类别及质量。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】具有高能隙的半导体,通常具有窄的平台温度范围。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】金属和半导体接触分包括:( )
A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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【判断题】宝石在高能激发下发光,激发源关闭后,发光立即停止,这种光称为荧光
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】根据TRIZ理论中关于专利登记的划分,半导体的发现属于( )级别。
A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【单选题】电子跃迁的类型不正确的是
A.
π→π*跃迁
B.
n→n*跃迁
C.
π→σ*跃迁
D.
σ→σ*跃迁
E.
n→π*跃迁
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【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。
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【单选题】红外光激发分子振动能级跃迁时,化学键越强,则 ( )
A.
吸收光子的能力越大
B.
吸收光子的波长越长
C.
吸收光子的频率越小
D.
吸收光子的波数越小
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【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】紫外光谱属于带状光谱的原因是因为产生电子跃迁时伴随着振动能级和转动能级的跃迁。
A.
对
B.
错
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【单选题】电子跃迁产生的光谱为:【 】
A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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半导体激光器
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光电二极管
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半导体发光二极管
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A.
吸收光子的能量越大
B.
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C.
吸收光子的频率越大
D.
吸收光子的数目越多
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A.
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杂质
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D.
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A.
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显色指数高
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D.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
整流的欧姆接触
B.
整流的肖特基接触
C.
非整流的欧姆接触
D.
非整流的肖特基接触
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A.
正确
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错误
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A.
二(少量的改进)
B.
四(全新的概念)
C.
一(简单的解)
D.
三(根本性的改进)
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【单选题】电子跃迁的类型不正确的是
A.
π→π*跃迁
B.
n→n*跃迁
C.
π→σ*跃迁
D.
σ→σ*跃迁
E.
n→π*跃迁
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A.
吸收光子的能力越大
B.
吸收光子的波长越长
C.
吸收光子的频率越小
D.
吸收光子的波数越小
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A.
正确
B.
错误
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A.
利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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A.
对
B.
错
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A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
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A.
正确
B.
错误
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