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【简答题】

施主浓度 N D =10 17 cm -3 的硅和金属接触形成的肖特基势垒高度为 V D =0.3eV ,计算: 1. 半导体的功函数 2. 电子从金属向半导体一侧跃迁的 势垒高度 3. 外加反向电压 1V 时的势垒宽度和势垒电容

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题目标签：势垒高度反向电压肖特基势垒
参考答案：
参考解析：
.
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举一反三

【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
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【判断题】可控硅导通的条件是阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【单选题】整流二极管的最大反向电压是指整流管( )时,在它俩端出现的最大反向电压。
A.
导电
B.
不导电
C.
导通
D.
不导通
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【判断题】光电二极管是在反向电压作用下工作的。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】给二极管加反向电压时,二极管会____。
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【单选题】P N 结加适量反向电压时,空间电荷区将( ) 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
D.
消失
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】二极管的最大反向电压是指整流管（）时，俩端出现的最大反向电压。
A.
导电
B.
不导电
C.
导通
D.
不导通
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【判断题】光电二极管是在反向电压的作用下工作的（ ）。
A.
正确
B.
错误
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